2SK3634-Z-E1-AZ
N沟道 耐压:200V 电流:6A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):600mΩ@3A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@1mA
品牌:Renesas Electronics America
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2SK3634-Z-E1-AZ
2SK3634-Z-E1-AZ VBSEMI/微碧半导体
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