2N7002
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA
品牌:Slkor
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA
品牌:LGE
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):225mW
品牌:YONGYUTAI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
MOSFETs N-Channel Vdss=60V Id=115mA Pd=225mW SOT23-3
品牌:JSCJ
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
MOS场效应管 2N7002 7002 SOT-23
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 输入电容(Ciss@Vds):50pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):5pF@25V 工作温度:+150℃@(Tj)
品牌:Leiditech
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 KUU/深圳永裕泰
品牌:YONGYUTAI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 KUU/深圳永裕泰
品牌:YONGYUTAI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 NEXPERIA
品牌:Nexperia
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 UDU SEMICONDUTOR
品牌:UDU SEMICONDUTOR
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 LEIDITECH/上海雷卯电子
品牌:Leiditech
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 JSMICRO/深圳杰盛微
品牌:JSMSEMI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 LGE/深圳鲁光电子
品牌:LGE
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 TWGMC/台湾迪嘉电子
品牌:TWGMC
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 SLKOR(萨科微)
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 PANJIT/台湾强茂
品牌:PANJIT
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 NXP SEMICONDUCTORS
品牌:NXP
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 PLINGSEMIC/鹏领半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 JSMICRO/深圳杰盛微
品牌:JSMSEMI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 JSMICRO/深圳杰盛微
品牌:JSMSEMI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 HT/深圳金誉半导体
品牌:HT
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 SHIKUES/台湾时科
品牌:SHIKUES
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
品牌:华轩阳电子
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002
2N7002 CJ/江苏长晶(长电)
品牌:CJ
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 115mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 7.5 欧姆 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | - |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 50 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 200mW(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23-3 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00