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2SK880-Y(TE85L,F)
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS): | 50 V |
| 漏源电压（Vdss）: | - |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): | 1.2 mA 10 V |
| 漏极电流 (Id) - 最大值: | - |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): | 1.5 V 100 nA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 13pF 10V |
| 电阻 - RDS(On): | - |
| 功率 - 最大值: | 100 mW |
| 工作温度: | 125°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SC-70，SOT-323 |
| 供应商器件封装: | USM |
| 温度: | 125°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
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