2SK209-BL(TE85L,F)

2SK209-BL(TE85L,F)

TRANS SJT N-CH 10MA SC59

品牌:Toshiba

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥2.469288
最低起订

自营

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TRANS SJT N-CH 10MA SC59

品牌:Toshiba

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥1.151295
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DigiKey

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TRANS SJT N-CH 10MA SC59

品牌:Toshiba

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥1.989436
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TRANS SJT N-CH 10MA SC59

品牌:Toshiba

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥5.591029
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2SK209-BL(TE85L,F)

TRANS SJT N-CH 10MA SC59

品牌:Toshiba

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥5.591029
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Mouser

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TRANS SJT N-CH 10MA SC59

品牌:Toshiba

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥6.660683
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2SK209-BL(TE85L,F)

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 150mW(Ta)
工作温度: -55°C # 125°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-59
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
温度: -55°C # 125°C(TA)

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