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2N5460
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 散装 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS): | 40 V |
| 漏源电压（Vdss）: | - |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): | 1 mA 15 V |
| 漏极电流 (Id) - 最大值: | - |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): | 750 mV 1 µA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 7pF 15V |
| 电阻 - RDS(On): | - |
| 功率 - 最大值: | 350 mW |
| 工作温度: | -65°C # 135°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-226-3，TO-92-3 长体 |
| 供应商器件封装: | TO-92（TO-226） |
| 温度: | -65°C # 135°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
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