属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Renesas Electronics America Inc |
包装: | 卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 119 毫欧 1A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 5.2 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 450 pF 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 200mW(Ta) |
工作温度: | 150°C |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SC-96-3,薄型迷你型塑模 |
封装/外壳: | SC-96 |
温度: | 150°C |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00