2N7002-G
场效应管(MOSFET) 2N7002-G SOT-23-3
品牌:美国微芯(MICROCHIP)
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002-G
漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):200mW 类型:N沟道 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@500mA,10V
品牌:ON
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002-G
FET 60V 5.0 OHM SOT23
品牌:ON
库存:0
货期: 7~10工作日
2N7002-G
FET 60V 5.0 OHM SOT23
品牌:ON
库存:0
货期: 7~10工作日
2N7002-G
FET 60V 5.0 OHM SOT23
品牌:ON
库存:0
货期: 7~10工作日
2N7002-G
N-Channel MOSFET
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
2N7002-G
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
2N7002-G
品牌:MICROCHIP
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Microchip Technology |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 115mA(Tj) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 7.5 欧姆 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | - |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 50 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 360mW(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23(TO-236AB) |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00