自营
AOSP21311C
P沟道 耐压:30V 电流:6A 类型:P沟道 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):42mΩ@6A,10V
品牌：AOS
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥1.957729
最低起订
AOSP21311C
AOSP21311C 万国
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ 需询价
最低起订
自营
销售单价： 3000+ ￥1.614144
最低起订
DigiKey
销售单价： 3000+ ￥2.789234
最低起订
艾睿
AOSP21311C
P-Channel MOSFET
品牌：Alpha & Omega Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 3000+ ￥8.82804
最低起订
AOSP21311C
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 42 毫欧 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.2V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 23 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 720 pF 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.5W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00