APTMC120HR11CT3AG

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APTMC120HR11CT3AG

POWER MODULE - SIC MOSFET

品牌:Microchip Technology

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APTMC120HR11CT3AG

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 98 毫欧 20A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 62nC 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 950pF 1000V
功率 - 最大值: 125W
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: SP3
温度: -40°C # 150°C(TJ)

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