APT60N60BCSG

自营

APT60N60BCSG

MOSFET N-CH 600V 60A TO247

品牌:Microchip Technology

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥145.660509
最低起订

自营

APT60N60BCSG

MOSFET N-CH 600V 60A TO247

品牌:Microchip Technology

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥118.388405
最低起订

DigiKey

APT60N60BCSG

MOSFET N-CH 600V 60A TO247

品牌:Microchip Technology

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥289.609406
最低起订

Mouser

APT60N60BCSG

MOSFET N-CH 600V 60A TO247

品牌:Microchip Technology

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥331.067064
最低起订

艾睿

APT60N60BCSG

Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 30+ ¥212.741156
最低起订

APT60N60BCSG

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: Tube
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45mOhm 44A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 190 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7200 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 431W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-247 [B]
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 150°C (TJ)

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品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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