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AOI4286
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14A；4A 功率(Pd)：30W；2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：68mΩ@5A,10V
品牌：AOS
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥14.751815
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销售单价： 1+ ￥7.200058
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AOI4286
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A（Ta），14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 68 毫欧 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.9V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 10 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 390 pF 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.5W（Ta），30W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-251A |
| 封装/外壳: | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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