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BZT52B2V7-G3-18
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | BZT52-G |
| 零件状态: | 在售 |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): | 2.7 V |
| 容差: | ±2% |
| 功率 - 最大值: | 410 mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt): | 75 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | - |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | - |
| 工作温度: | -55°C # 150°C |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOD-123 |
| 供应商器件封装: | SOD-123 |
| 温度: | -55°C # 150°C |
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品牌：
供货：锐单
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