DN3765K4-G

自营

DN3765K4-G

MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3

品牌:Microchip Technology

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥19.330341
最低起订

自营

DN3765K4-G

MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3

品牌:Microchip Technology

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥17.8988
最低起订

DigiKey

DN3765K4-G

MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3

品牌:Microchip Technology

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥30.929065
最低起订

DN3765K4-G

MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3

品牌:Microchip Technology

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥40.702487
最低起订

DN3765K4-G

MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3

品牌:Microchip Technology

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥40.702487
最低起订

Mouser

DN3765K4-G

MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3

品牌:Microchip Technology

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥51.749884
最低起订

DN3765K4-G

MOSFET (Metal Oxide) Transistor - N Channel - 650 V - 300 mA - 8 ohm - TO-252AA - Surface Mount.

品牌:MICROCHIP

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 100+ ¥33.558553
最低起订

DN3765K4-G

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 欧姆 150mA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 825 pF 25 V
FET 功能: 耗尽模式
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252-3
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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