DMP2002UPS-13

DMP2002UPS-13

MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥14.942592
最低起订

自营

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MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥9.277252
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MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥5.371674
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MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥3.736003
最低起订

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MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥4.991679
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MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥3.736003
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MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 85000+ ¥31.916532
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DMP2002UPS-13

MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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DMP2002UPS-13

MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 20+ ¥7.451136
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自营

DMP2002UPS-13

MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥6.986691
最低起订

DigiKey

DMP2002UPS-13

MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥12.07298
最低起订

DMP2002UPS-13

MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥26.44015
最低起订

DMP2002UPS-13

MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥26.44015
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Mouser

DMP2002UPS-13

MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥35.270697
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艾睿

DMP2002UPS-13

Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R

品牌:Diodes Zetex

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥16.196051
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DMP2002UPS-13

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.9 毫欧 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 585 nC 10 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12826 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.3W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8(K 类)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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