DMN2320UFB4-7B

自营

DMN2320UFB4-7B

MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10000+ ¥0.782383
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DigiKey

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MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

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销售单价: 10000+ ¥1.351955
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MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

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销售单价: 10000+ ¥1.606283
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MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

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销售单价: 1+ ¥5.43665
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销售单价: 1+ 需询价
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MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3

品牌:Diodes Incorporated

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10000+ ¥1.72011
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品牌:Diodes Incorporated

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销售单价: 1+ ¥5.54725
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销售单价: 1+ ¥5.54725
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Mouser

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销售单价: 1+ ¥6.360263
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DMN2320UFB4-7B

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 320 毫欧 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.89 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 71 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 520mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: X2-DFN1006-3
封装/外壳: 3-XFDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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