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自营
销售单价： 2500+ ￥3.542353
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DigiKey
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DMTH32M5LPSQ-13
MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
品牌：Diodes Incorporated
库存：0
货期： 7~10工作日
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DMTH32M5LPSQ-13
MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
品牌：Diodes Incorporated
库存：0
货期： 7~10工作日
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DMTH32M5LPSQ-13
MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
品牌：Diodes Incorporated
库存：0
货期： 7~10工作日
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Mouser
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DMTH32M5LPSQ-13
MOSFET, N-CH, 30V, 170A, POWERDI 5060
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥10.666238
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DMTH32M5LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 2500+ ￥4.863463
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DMTH32M5LPSQ-13
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Diodes Incorporated |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 170A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2.2 毫欧 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 68 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3944 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.2W（Ta），100W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PowerDI5060-8 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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