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DMN2300U-7
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
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DMN2300U-7
品牌：DIODES
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DMN2300U-7
90004001,场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 1.24A, 150度C, 0.43W
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 5+ ￥3.181679
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DMN2300U-7
Days to ship 8
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 10+ ￥2.38671
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DMN2300U-7
N-Channel 20 V 80 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 3000+ ￥0.461758
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DMN2300U-7
MOSFET, N-CH, 20V, 1.24A, 150DEGC, 0.43W
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 5+ ￥3.446715
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DMN2300U-7
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Diodes Incorporated |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.24A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 175 毫欧 300mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 950mV 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 1.6 nC 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 64.3 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 430mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-23-3 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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