DMTH6004SPSQ-13

自营

DMTH6004SPSQ-13

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥8.031543
最低起订

DMTH6004SPSQ-13

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥5.23478
最低起订

DMTH6004SPSQ-13

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥5.482744
最低起订

DMTH6004SPSQ-13

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

自营

DMTH6004SPSQ-13

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥7.883414
最低起订

DigiKey

DMTH6004SPSQ-13

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥13.622513
最低起订

DMTH6004SPSQ-13

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

DMTH6004SPSQ-13

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

DMTH6004SPSQ-13

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥12.295067
最低起订

DMTH6004SPSQ-13

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥27.272006
最低起订

DMTH6004SPSQ-13

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥27.272006
最低起订

Mouser

DMTH6004SPSQ-13

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥34.674127
最低起订

艾睿

DMTH6004SPSQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R

品牌:Diodes Zetex

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥22.27219
最低起订

DMTH6004SPSQ-13

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.1 毫欧 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 95.4 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4556 pF 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.1W(Ta),167W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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型号:

品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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