DMN3024LK3-13

自营

DMN3024LK3-13

MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥3.223545
最低起订

自营

DMN3024LK3-13

MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 117+ ¥0.820806
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DigiKey

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MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 117+ ¥1.418351
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DMN3024LK3-13

MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 117+ ¥1.418351
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DMN3024LK3-13

MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK

品牌:Diodes Incorporated

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销售单价: 117+ ¥1.418351
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Mouser

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MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: +
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DMN3024LK3-13

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.78A (Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24mOhm 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.9 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 608 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.17W (Ta)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: TO-252-3
封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
温度: -55°C # 150°C (TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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