DMN6040SSS-13

DMN6040SSS-13

MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥2.642519
最低起订

DMN6040SSS-13

MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥4.775265
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自营

DMN6040SSS-13

MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥2.366191
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DMN6040SSS-13

MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥2.19373
最低起订

DMN6040SSS-13

MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥2.33412
最低起订

自营

DMN6040SSS-13

MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥0.975042
最低起订

DigiKey

DMN6040SSS-13

MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥2.385212
最低起订

DMN6040SSS-13

MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥8.261264
最低起订

DMN6040SSS-13

MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥8.261264
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Mouser

DMN6040SSS-13

MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥7.758865
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艾睿

DMN6040SSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R

品牌:Diodes Zetex

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥2.377382
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DMN6040SSS-13

MOSFET, N-CH, 60V, 5.5A, SOIC

品牌:DIODES

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥4.090444
最低起订

DMN6040SSS-13

Days to ship 10

品牌:DIODES

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 25+ ¥1.653201
最低起订

DMN6040SSS-13

品牌:DIODES

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥1.338913
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DMN6040SSS-13

MOSFET, N-CH, 60V, 5.5A, SOIC

品牌:DIODES

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥4.412375
最低起订

DMN6040SSS-13

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22.4 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1287 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.5W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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