自营
DMG3407SSN-7
DMG3407SSN-7 VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌：VBsemi
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
DMG3407SSN-7
DMG3407SSN-7 VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
自营
DigiKey
DMG3407SSN-7
MOSFET P-CH 30V 4A SC59
品牌：Diodes Incorporated
库存：0
货期： 7~10工作日
DMG3407SSN-7
MOSFET P-CH 30V 4A SC59
品牌：Diodes Incorporated
库存：0
货期： 7~10工作日
DMG3407SSN-7
MOSFET P-CH 30V 4A SC59
品牌：Diodes Incorporated
库存：0
货期： 7~10工作日
Mouser
DMG3407SSN-7
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
DMG3407SSN-7
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
DMG3407SSN-7
Days to ship 9
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
DMG3407SSN-7
Days to ship 9
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
DMG3407SSN-7
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Diodes Incorporated |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 50 毫欧 4.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.1V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 16 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 700 pF 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.1W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SC-59-3 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00