DMN2025UFDB-7
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 6A, U-DFN2020
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
DMN2025UFDB-7
MOSFET, N-CH, 20V, 6A, U-DFN2020
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Diodes Incorporated |
包装: | Tape & Reel (TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | Active |
FET 类型: | 2 N-Channel (Dual) |
FET 功能: | Standard |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6A (Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 25mOhm 4A, 4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 12.3nC 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 486pF 10V |
功率 - 最大值: | 700mW (Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
封装/外壳: | 6-UDFN Exposed Pad |
供应商器件封装: | U-DFN2020-6 (Type B) |
温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
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