DMC1030UFDB-7

DMC1030UFDB-7

MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥3.4128
最低起订

自营

DMC1030UFDB-7

MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥2.430662
最低起订

DigiKey

DMC1030UFDB-7

MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥1.9908
最低起订

Mouser

DMC1030UFDB-7

MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: +
最低起订

艾睿

DMC1030UFDB-7

Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.1A/3.9A T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥1.841657
最低起订

DMC1030UFDB-7

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: Active
FET 类型: N and P-Channel Complementary
FET 功能: Standard
漏源电压(Vdss): 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34mOhm 4.6A, 4.5V, 59mOhm 3.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.2nC 4.5V, 13nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1003pF 6V, 1028pF 6V
功率 - 最大值: 1.36W (Ta)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad
供应商器件封装: U-DFN2020-6 (Type B)
温度: -55°C # 150°C (TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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