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DTA113EET1G
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | Bulk,Tape & Reel (TR) |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | PNP - Pre-Biased |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 50 V |
| 电阻器 - 基极 (R1): | 1 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2): | 1 kOhms |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 3 5mA, 10V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 250mV 5mA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 500nA |
| 频率 - 跃迁: | - |
| 功率 - 最大值: | 200 mW |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 封装/外壳: | SC-75, SOT-416 |
| 供应商器件封装: | SC-75, SOT-416 |
| 温度: |
型号：
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供货：锐单
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