EPC2018

DigiKey

EPC2018

GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE

品牌:EPC

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

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EPC2018

属性 参数值
品牌: EPC
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: eGaN®
零件状态: Digi-Key 停止提供
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 6A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.5 nC 5 V
Vgs(最大值): +6V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 540 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -40°C # 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 模具
封装/外壳: 模具
温度: -40°C # 125°C(TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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