属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N 沟道(双)共漏 |
FET 功能: | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
漏源电压(Vdss): | 12V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2.85 毫欧 5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.3V 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 30nC 3.8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | - |
功率 - 最大值: | 1.8W(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 10-SMD,无引线 |
供应商器件封装: | 10-WLCSP(1.84x1.96) |
温度: | 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
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