FDA28N50F

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MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥106.19928
最低起订

自营

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MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥38.802736
最低起订

FDA28N50F

MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 450+ ¥18.594492
最低起订

FDA28N50F

MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥49.203554
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FDA28N50F

MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 30+ ¥39.682867
最低起订

FDA28N50F

MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥48.134398
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MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥55.685004
最低起订

FDA28N50F

MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥48.203114
最低起订

FDA28N50F

MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 100+ ¥20.432519
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FDA28N50F

MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 300+ ¥66.852844
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FDA28N50F

MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 450+ ¥61.219841
最低起订

FDA28N50F

MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 300+ ¥61.261515
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自营

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MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 450+ ¥18.436862
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DigiKey

FDA28N50F

MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 450+ ¥45.101449
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Mouser

FDA28N50F

MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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艾睿

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Trans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 450+ ¥34.550769
最低起订

FDA28N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥50.842811
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FDA28N50F

onsemi N沟道增强型MOS管 UniFET系列, Vds=500 V, 28 A, TO-3PN封装, 通孔安装, 3引脚

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥37.784682
最低起订

FDA28N50F

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: UniFET™
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 175mOhm 14A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 105 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5387 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 310W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-3PN
封装/外壳: TO-3P-3, SC-65-3
温度: -55°C # 150°C (TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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