FDMC86260

自营

FDMC86260

MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥30.405924
最低起订

FDMC86260

MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥18.549542
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FDMC86260

MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥12.460676
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FDMC86260

MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥13.029764
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自营

FDMC86260

MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥6.496177
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DigiKey

FDMC86260

MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥15.89137
最低起订

FDMC86260

MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥35.290342
最低起订

FDMC86260

MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥35.290342
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Mouser

FDMC86260

MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥40.178835
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艾睿

FDMC86260

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥13.702691
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FDMC86260

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R

品牌:ON Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥37.768038
最低起订

FDMC86260

场效应管, MOSFET, N沟道, 25A, 150V, PQFN

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥23.735853
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FDMC86260

Days to ship 8

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥23.355194
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FDMC86260

MOSFET, N-CH, 25A, 150V, PQFN

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥24.573417
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FDMC86260

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 16 A, Power 33, 贴片安装, 8引脚, FDMC86260

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 750+ ¥18.553616
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FDMC86260

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 16 A, Power 33, 贴片安装, 8引脚, FDMC86260

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥11.067047
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FDMC86260

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A(Ta),16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 5.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1330 pF 75 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),54W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: Power33
封装/外壳: 8-PowerWDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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