FQP47P06

自营

FQP47P06

MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥26.607902
最低起订

FQP47P06

MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥15.569554
最低起订

FQP47P06

FQP47P06 VBSEMI/微碧半导体

品牌:

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥6.121521
最低起订

FQP47P06

FQP47P06 VBSEMI/微碧半导体

品牌:

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥4.884136
最低起订

FQP47P06

FQP47P06 UMW/友台半导体

品牌:UMW

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1000+ ¥2.011721
最低起订

FQP47P06

FQP47P06 JSMICRO/深圳杰盛微

品牌:JSMSEMI

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 50+ ¥4.253114
最低起订

自营

FQP47P06

MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥19.083995
最低起订

DigiKey

FQP47P06

MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥66.549064
最低起订

FQP47P06

MOSFET P-CH 60V 47A TO220

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥25.701708
最低起订

Mouser

FQP47P06

MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥60.52756
最低起订

艾睿

FQP47P06

Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

品牌:ON Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 50+ ¥32.611612
最低起订

FQP47P06

场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -47A, TO-220-3

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥22.515435
最低起订

FQP47P06

Days to ship 14

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥42.066548
最低起订

FQP47P06

Days to ship 3

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥32.208725
最低起订

FQP47P06

P-Channel 60 V 26 mOhm Through Hole QFET Mosfet - TO-220

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 50+ ¥15.934056
最低起订

FQP47P06

MOSFET, P-CHANNEL, -60V, -47A, TO-220-3

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥23.99013
最低起订

FQP47P06

onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 47 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, FQP47P06

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥27.553337
最低起订

FQP47P06

onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 47 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, FQP47P06

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 15+ ¥26.975746
最低起订

FQP47P06

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 23.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 110 nC 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3600 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 160W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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货期:1-2天

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