自营
销售单价： 1+ ￥23.187667
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销售单价： 421+ ￥22.956718
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销售单价： 10+ ￥49.518176
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销售单价： 1+ ￥65.655662
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销售单价： 1+ ￥65.324007
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自营
销售单价： 3000+ ￥23.044617
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DigiKey
销售单价： 3000+ ￥39.821021
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销售单价： 1+ ￥79.363954
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FDMS86202ET120
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥12.13877
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Mouser
销售单价： 1+ ￥100.904778
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FDMS86202ET120
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | PowerTrench® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 120 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 13.5A（Ta），102A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7.2 毫欧 13.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 64 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4585 pF 60 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.3W（Ta），187W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
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