FDS6675BZ
FDS6675BZ UDU SEMICONDUTOR
品牌：UDU SEMICONDUTOR
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
FDS6675BZ
FDS6675BZ UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
FDS6675BZ
FDS6675BZ HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
品牌：华轩阳电子
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
DigiKey
FDS6675BZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
Mouser
艾睿
FDS6675BZ
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
FDS6675BZ
场效应管, MOSFET, P, SMD, SO-8
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDS6675BZ
Days to ship 9
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDS6675BZ
Days to ship 3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDS6675BZ
Days to ship 9
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDS6675BZ
Days to ship 8
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDS6675BZ
P-Channel 30 V 21.8 mOhm 2.5 W Power Trench Mosfet - SOIC-8
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDS6675BZ
P-Channel 30 V 21.8 mOhm 2.5 W Power Trench Mosfet - SOIC-8
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDS6675BZ
MOSFET, P, SMD, SO-8
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDS6675BZ
onsemi P沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=30 V, 11 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDS6675BZ
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | PowerTrench® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 13 毫欧 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 62 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2470 pF 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.5W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00