FDT458P
FDT458P JGSEMI/台湾金锆
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1000+ ￥0.18059
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DigiKey
Mouser
销售单价： 1+ ￥16.251235
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艾睿
FDT458P
Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 4000+ ￥4.1047
最低起订
FDT458P
场效应管, MOSFET, P
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 5+ ￥9.169754
最低起订
FDT458P
Days to ship 10
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 4000+ ￥2.89362
最低起订
FDT458P
Days to ship 9
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 4000+ ￥2.549461
最低起订
FDT458P
MOSFET, P
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 5+ ￥9.750942
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FDT458P
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 3.4 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, PowerTrench系列
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1000+ ￥4.639633
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FDT458P
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | PowerTrench® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 130 毫欧 3.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 3.5 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 205 pF 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-223-4 |
| 封装/外壳: | TO-261-4，TO-261AA |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00