销售单价： 1+ ￥42.826498
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自营
销售单价： 1+ ￥24.673776
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销售单价： 1+ ￥34.293336
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FDP036N10A
FDP036N10A VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥10.596436
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自营
销售单价： 1+ ￥33.911984
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DigiKey
销售单价： 1+ ￥82.957699
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FDP036N10A
POWFIELD-EFFETRANSISTO1201000.00
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ 需询价
最低起订
Mouser
销售单价： 1+ ￥91.984112
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艾睿
FDP036N10A
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥56.31778
最低起订
FDP036N10A
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 120A, 175度 C, 333W
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥52.831045
最低起订
FDP036N10A
MOSFET, N-CH, 100V, 120A, 175DEG C, 333W
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥54.026261
最低起订
FDP036N10A
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | PowerTrench® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.6 毫欧 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 116 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 7295 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 333W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00