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自营
FDC2512
FDC2512 VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 5+ ￥0.676864
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FDC2512
FDC2512 VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
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FDC2512
FDC2512 VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 5+ ￥0.799919
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销售单价： 50+ ￥6.228949
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销售单价： 3000+ ￥5.417685
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FDC2512
FDC2512 JSMICRO/深圳杰盛微
品牌：JSMSEMI
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 50+ ￥0.609489
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销售单价： 3000+ ￥3.240887
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DigiKey
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Mouser
销售单价： 1+ 需询价
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艾睿
FDC2512
Trans MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOT-23 T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 3000+ ￥3.59804
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FDC2512
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | PowerTrench® |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 425 毫欧 1.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 11 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 344 pF 75 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.6W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SuperSOT™-6 |
| 封装/外壳: | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00