FDT1600N10ALZ厂家价格_数据手册_现货库存-锐单商城

自营

FDT1600N10ALZ

MOSFET N-CH 100V SOT-223-4

品牌：ON

库存：1000 +

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 1+ ￥4.305344

数量	单价(含税)	总价
1	4.305344	4.31
10	3.551363	35.51
30	3.168908	95.07
100	2.786454	278.65
500	2.436781	1218.39

最低起订

FDT1600N10ALZ

FDT1600N10ALZ VBSEMI/台湾微碧半导体

品牌：VBsemi

库存：1000 +

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 5+ ￥1.695111

数量	单价(含税)	总价
5	1.695111	8.48
50	1.653436	82.67
250	1.61072	402.68
500	1.582589	791.29
1000	1.539873	1539.87

最低起订

FDT1600N10ALZ

FDT1600N10ALZ VBSEMI/台湾微碧半导体

品牌：VBsemi

库存：1000 +

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 7+ ￥1.883456

数量	单价(含税)	总价
7	1.883456	13.18
1000	1.804738	1804.74
2000	1.773482	3546.96
5000	1.648458	8242.29

最低起订

FDT1600N10ALZ

FDT1600N10ALZ VBSEMI/微碧半导体

品牌：

库存：1000 +

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 5+ ￥1.883687

数量	单价(含税)	总价
5	1.883687	9.42
20	1.836572	36.73
200	1.726713	345.34
2500	1.695342	4238.35

最低起订

自营

FDT1600N10ALZ

MOSFET N-CH 100V SOT-223-4

品牌：ON

库存：1000 +

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 4000+ ￥2.097247

数量	单价(含税)	总价
4000	2.097247	8388.99
8000	1.986904	15895.23
12000	1.839731	22076.77
28000	1.821498	51001.94

最低起订

DigiKey

FDT1600N10ALZ

MOSFET N-CH 100V SOT-223-4

品牌：ON

库存：0

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 4000+ ￥3.624036

数量	单价(含税)	总价
4000	3.624036	14496.14
8000	3.433363	27466.90
12000	3.17905	38148.60
28000	3.147542	88131.18

最低起订

FDT1600N10ALZ

MOSFET N-CH 100V SOT-223-4

品牌：ON

库存：0

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 1+ ￥9.539909

数量	单价(含税)	总价
1	9.539909	9.54
10	8.39763	83.98
100	6.434418	643.44
500	5.086529	2543.26
1000	4.069148	4069.15

最低起订

FDT1600N10ALZ

MOSFET N-CH 100V SOT-223-4

品牌：ON

库存：0

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 1+ ￥9.539909

数量	单价(含税)	总价
1	9.539909	9.54
10	8.39763	83.98
100	6.434418	643.44
500	5.086529	2543.26
1000	4.069148	4069.15

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Mouser

FDT1600N10ALZ

MOSFET N-CH 100V SOT-223-4

品牌：ON

库存：0

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 1+ ￥12.129213

数量	单价(含税)	总价
1	12.129213	12.13
10	10.6769	106.77
100	7.628638	762.86
500	6.256121	3128.06
1000	5.186836	5186.84

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艾睿

FDT1600N10ALZ

Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

品牌：

库存：0

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 1+ ￥5.130536

数量	单价(含税)	总价
1	5.130536	5.13

最低起订

FDT1600N10ALZ

Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

品牌：

库存：0

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 4000+ ￥3.567482

数量	单价(含税)	总价
4000	3.567482	14269.93

最低起订

FDT1600N10ALZ

Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

品牌：

库存：0

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 23+ ￥5.030058

数量	单价(含税)	总价
23	5.030058	115.69
25	4.979475	124.49
100	3.741447	374.14
250	3.704132	926.03

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FDT1600N10ALZ

场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 5.6A, SOT-223-4

品牌：onsemi

库存：0

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 1+ ￥6.878477

数量	单价(含税)	总价
1	6.878477	6.88
10	6.057886	60.58
100	4.645989	464.60
500	3.66852	1834.26
1000	2.932403	2932.40

最低起订

FDT1600N10ALZ

Days to ship 8

品牌：onsemi

库存：0

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 10+ ￥5.567498

数量	单价(含税)	总价
10	5.567498	55.67
25	5.538578	138.46
100	4.33797	433.80
250	4.137283	1034.32

最低起订

FDT1600N10ALZ

Days to ship 3

品牌：onsemi

库存：0

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 5+ ￥3.680701

数量	单价(含税)	总价
5	3.680701	18.40
10	3.452848	34.53
50	3.417794	170.89
100	2.3574	235.74
200	2.348639	469.73

最低起订

FDT1600N10ALZ

MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, SOT-223-4

品牌：onsemi

库存：0

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 1+ ￥6.752004

数量	单价(含税)	总价
1	6.752004	6.75
10	5.941771	59.42
100	4.558955	455.90
500	3.608275	1804.14
1000	2.884455	2884.45

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FDT1600N10ALZ

onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=100 V, 5.6 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚

品牌：onsemi

库存：0

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 1000+ ￥5.11827

数量	单价(含税)	总价
1000	5.11827	5118.27
2000	4.964112	9928.22

最低起订

FDT1600N10ALZ

onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=100 V, 5.6 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚

品牌：onsemi

库存：0

货期： 1~2工作日 7~10工作日

销售单价： 4000+ ￥3.230901

数量	单价(含税)	总价
4000	3.230901	12923.60
20000	2.907596	58151.92

最低起订

FDT1600N10ALZ

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	160 毫欧 2.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.77 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	225 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	10.42W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-4
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

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