销售单价： 1+ ￥86.190599
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自营
销售单价： 1+ ￥26.170812
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DigiKey
Mouser
销售单价： 1+ ￥79.218257
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艾睿
FDB2614
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 800+ ￥30.040785
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FDB2614
MOSFET, N, SMD, TO-263
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥47.30807
最低起订
FDB2614
onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=200 V, 62 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 200+ ￥48.96275
最低起订
FDB2614
onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=200 V, 62 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 800+ ￥23.812629
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FDB2614
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 62 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, FDB2614
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥36.452705
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FDB2614
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | PowerTrench® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 62A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 27 毫欧 31A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 99 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 7230 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 260W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
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