FQB34N20LTM

自营

FQB34N20LTM

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥18.396003
最低起订

自营

FQB34N20LTM

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥10.205762
最低起订

DigiKey

FQB34N20LTM

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥24.965998
最低起订

FQB34N20LTM

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥67.92594
最低起订

FQB34N20LTM

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥67.92594
最低起订

Mouser

FQB34N20LTM

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: +
最低起订

艾睿

FQB34N20LTM

Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥34.793886
最低起订

FQB34N20LTM

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 75mOhm 15.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 72 nC 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3900 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: D²PAK (TO-263)
封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
温度: -55°C # 150°C (TJ)

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