FDMS86163P
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
品牌:ON Semiconductor
库存:0
货期: 7~10工作日
FDMS86163P
场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, -50A, POWER56-8
品牌:onsemi
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品牌:onsemi
库存:0
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FDMS86163P
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品牌:onsemi
库存:0
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FDMS86163P
MOSFET, P-CH, -100V, -50A, POWER56-8
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDMS86163P
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 7.9 A, PQFN8, 贴片安装, 8引脚, FDMS86163P
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDMS86163P
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 7.9 A, PQFN8, 贴片安装, 8引脚, FDMS86163P
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | PowerTrench® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7.9A(Ta),50A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 22 毫欧 7.9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 59 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4085 pF 50 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta),104W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-PQFN(5x6) |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
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