自营
FQD7P20TM
FQD7P20TM VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥3.061687
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销售单价： 1+ ￥8.95423
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DigiKey
Mouser
销售单价： 1+ ￥18.060855
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艾睿
FQD7P20TM
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 2500+ ￥6.939171
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FQD7P20TM
场效应管, MOSFET, N沟道, -200V, -5.7A, TO-252-3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 5+ ￥10.762124
最低起订
FQD7P20TM
Days to ship 3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥15.853319
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FQD7P20TM
MOSFET, N-CH, -200V, -5.7A, TO-252-3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 5+ ￥10.845076
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FQD7P20TM
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | QFET® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 690 毫欧 2.85A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 25 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 770 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.5W（Ta），55W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-252AA |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00