FQI6N40CTU

DigiKey

FQI6N40CTU

N-CHANNEL POWER MOSFET

品牌:Rochester

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FQI6N40CTU

MOSFET N-CH 400V 6A I2PAK

品牌:ON

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FQI6N40CTU

属性 参数值
品牌: Fairchild Semiconductor
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: Obsolete
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1Ohm 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 625 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 73W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: I2PAK (TO-262)
封装/外壳: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
温度: -55°C # 150°C (TJ)

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