自营
销售单价： 1+ ￥4.774049
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销售单价： 10+ ￥9.77844
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DigiKey
FDS6692A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 582+ ￥6.418842
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Mouser
销售单价： 1+ 需询价
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FDS6692A
onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=30 V, 9 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 630+ ￥8.333988
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FDS6692A
onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=30 V, 9 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 2500+ ￥5.745912
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FDS6692A
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | PowerTrench® |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 11.5 毫欧 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 29 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1610 pF 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.47W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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