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FCU600N65S3R0
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
FCU600N65S3R0
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
FCU600N65S3R0
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
FCU600N65S3R0
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
FCU600N65S3R0
场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 6A, TO-251
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FCU600N65S3R0
Days to ship 8
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FCU600N65S3R0
MOSFET, N-CH, 650V, 6A, TO-251
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FCU600N65S3R0
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | Tube |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | SuperFET® III |
| 零件状态: | Active |
| FET 类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6A (Tc) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 600mOhm 3A, 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V 600µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 11 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 465 pF 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 54W (Tc) |
| 工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 供应商器件封装: | I-PAK |
| 封装/外壳: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| 温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
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