FCU850N80Z

自营

FCU850N80Z

MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥4.556672
最低起订

自营

FCU850N80Z

MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥12.644141
最低起订

DigiKey

FCU850N80Z

MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥30.93092
最低起订

Mouser

FCU850N80Z

MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥36.577791
最低起订

艾睿

FCU850N80Z

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1800+ ¥16.54241
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FCU850N80Z

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 0+ ¥13.457802
最低起订

FCU850N80Z

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: SuperFET® II
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850mOhm 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 600µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1315 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 75W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: I-PAK
封装/外壳: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
温度: -55°C # 150°C (TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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