FDMS7682
FDMS7682 VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDMS7682
FDMS7682 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
品牌:华轩阳电子
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDMS7682
Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
品牌:ON Semiconductor
库存:0
货期: 7~10工作日
FDMS7682
Days to ship 3
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDMS7682
Days to ship 8
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDMS7682
"30V, 22A, 0.0063 ohms, Power 56"
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | PowerTrench® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss): | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 16A(Ta),22A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 6.3 毫欧 14A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 30 nC 10 V |
| Vgs(最大值): | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1885 pF 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta),33W(Tc) |
| 工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-PQFN(5x6) |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00