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FDMT80080DC
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
FDMT80080DC
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
FDMT80080DC
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDMT80080DC
场效应管, MOSFET, N沟道, 80V, 254A, 双路 COOL 88
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDMT80080DC
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDMT80080DC
Dual N-Channel 80 V 3.2 W 273 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - Dual Cool 88
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDMT80080DC
MOSFET, N CH, 80V, 254A, DUAL COOL 88
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDMT80080DC
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | Dual Cool™, PowerTrench® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 36A（Ta），254A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.35 毫欧 36A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 273 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 20720 pF 40 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.2W（Ta），156W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-Dual Cool™88 |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00