FDS8958B
FDS8958B TECH PUBLIC/台湾台舟电子
品牌:TECH PUBLIC
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDS8958B
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
品牌:ON Semiconductor
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS8958B
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R
品牌:ON Semiconductor
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS8958B
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R
品牌:ON Semiconductor
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS8958B
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R
品牌:APTINA IMAGING
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS8958B
场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 130V, 6.4A, SOIC-8
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS8958B
Days to ship 9
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS8958B
Days to ship 3
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS8958B
MOSFET, N & P CH, 130V, 6.4A, SOIC-8
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS8958B
onsemi N/P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, SOIC, 贴片安装, 8引脚, FDS8958B
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS8958B
onsemi N/P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 4.5 A,6.4 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, FDS8958B
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | PowerTrench® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.4A,4.5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 26 毫欧 6.4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 12nC 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 540pF 15V |
功率 - 最大值: | 900mW |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00