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FDD6N25TF
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Fairchild Semiconductor |
| 包装: | Bulk |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | UniFET™ |
| 零件状态: | Obsolete |
| FET 类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压（Vdss）: | 250 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.4A (Tc) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.1Ohm 2.2A, 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 6 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 250 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 50W (Tc) |
| 工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商器件封装: | TO-252, (D-Pak) |
| 封装/外壳: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
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品牌：
供货：锐单
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