FF23MR12W1M1B11BOMA1
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray
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货期: 7~10工作日
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 托盘 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | CoolSiC™+ |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道(双) |
| FET 功能: | 碳化硅(SiC) |
| 漏源电压(Vdss): | 1200V(1.2kV) |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 23 毫欧 50A,15V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5.55V 20mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 125nC 15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3950pF 800V |
| 功率 - 最大值: | 20mW |
| 工作温度: | -40°C # 150°C(TJ) |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | 模块 |
| 供应商器件封装: | 模块 |
| 温度: | -40°C # 150°C(TJ) |
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