FDMB3800N

FDMB3800N

MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥14.235408
最低起订

自营

FDMB3800N

MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥14.281942
最低起订

自营

FDMB3800N

MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥3.366357
最低起订

DigiKey

FDMB3800N

MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥7.856156
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FDMB3800N

MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥28.608448
最低起订

FDMB3800N

MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥28.608448
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Mouser

FDMB3800N

MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥24.045195
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艾睿

FDMB3800N

Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-Pin WDFN EP T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥6.41079
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FDMB3800N

场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, 4.8A, MICROFET-8

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥12.858278
最低起订

FDMB3800N

Days to ship 10

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥4.808862
最低起订

FDMB3800N

Days to ship 10

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥5.516477
最低起订

FDMB3800N

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥4.643361
最低起订

FDMB3800N

MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 4.8A, MICROFET-8

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥13.780583
最低起订

FDMB3800N

onsemi 数字晶体管, WDFN封装, 贴片安装

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥4.990094
最低起订

FDMB3800N

onsemi 数字晶体管, WDFN封装, 贴片安装

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥8.266001
最低起订

FDMB3800N

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 4.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.6nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 465pF 15V
功率 - 最大值: 750mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-MLP,MicroFET(3x1.9)
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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型号:

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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