FDMB3800N
Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMB3800N
场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, 4.8A, MICROFET-8
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FDMB3800N
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FDMB3800N
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FDMB3800N
品牌:onsemi
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FDMB3800N
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 4.8A, MICROFET-8
品牌:onsemi
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FDMB3800N
onsemi 数字晶体管, WDFN封装, 贴片安装
品牌:onsemi
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FDMB3800N
onsemi 数字晶体管, WDFN封装, 贴片安装
品牌:onsemi
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属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | PowerTrench® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.8A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 40 毫欧 4.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 5.6nC 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 465pF 15V |
功率 - 最大值: | 750mW |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
供应商器件封装: | 8-MLP,MicroFET(3x1.9) |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
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