FDS4470

自营

FDS4470

MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥11.16767
最低起订

FDS4470

MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

品牌:ON Semiconductor

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 365+ ¥7.593697
最低起订

FDS4470

MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

FDS4470

MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 42+ ¥19.876528
最低起订

FDS4470

MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥24.004188
最低起订

FDS4470

MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥23.397396
最低起订

FDS4470

MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥8.296182
最低起订

FDS4470

MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥24.263226
最低起订

FDS4470

MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

品牌:ON Semiconductor

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 300+ ¥6.971565
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自营

FDS4470

MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥6.373064
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DigiKey

FDS4470

MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥11.012633
最低起订

FDS4470

MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥24.118508
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FDS4470

MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥24.118508
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FDS4470

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

FDS4470

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

品牌:ON Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 329+ ¥10.973922
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Mouser

FDS4470

MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥35.052939
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艾睿

FDS4470

Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥10.64387
最低起订

FDS4470

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 12.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63 nC 10 V
Vgs(最大值): +30V,-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2659 pF 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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供货:锐单

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